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HMDS真空鍍膜機(jī)/真空烘箱,在半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝中,光刻是集成電路圖形轉(zhuǎn)移重要的一個工藝環(huán)節(jié),涂膠質(zhì)量直接影響到光刻的質(zhì)量,涂膠工藝也顯得尤為重要。
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產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,環(huán)保,食品,化工,生物產(chǎn)業(yè) |
HMDS真空鍍膜機(jī)/真空烘箱產(chǎn)品介紹:
在半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝中,光刻是集成電路圖形轉(zhuǎn)移重要的一個工藝環(huán)節(jié),涂膠質(zhì)量直接影響到光刻的質(zhì)量,涂膠工藝也顯得尤為重要。光刻涂膠工藝中絕大多數(shù)光刻膠是疏水的,而硅片表面的羥基和殘留的水分子是親水的,這造成光刻膠和硅片的黏合性較差,尤其是正膠,顯影時顯影液會侵入光刻膠和硅片的連接處,容易造成漂條、浮膠等,導(dǎo)致光刻圖形轉(zhuǎn)移的失敗,同時濕法腐蝕容易發(fā)生側(cè)向腐蝕。增黏劑HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善這種狀況。
產(chǎn)品特點:
1、機(jī)外殼采用不銹鋼SUS304材質(zhì)制造,內(nèi)膽為不銹鋼316L材料制成;加熱器均勻分布在內(nèi)膽外壁四周,內(nèi)膽內(nèi)無任何電氣配件及易燃易爆裝置。鋼化、防彈雙層玻璃門觀察工作室內(nèi)物體一目了然。
2、箱門閉合松緊能調(diào)節(jié),整體成型的硅橡膠門封圈,確保箱內(nèi)高真空度。
3、微電腦智能控溫儀,具有設(shè)定,測定溫度雙數(shù)字顯示和PID自整定功能,控溫精確,可靠。
4、智能化觸摸屏控制系統(tǒng)配套日本三菱PLC模塊可供用戶根據(jù)不同制程條件改變程序,溫度,真空度及每一程序時間。
5、HMDS氣體密閉式自動吸取添加設(shè)計,真空箱密封,確保HMDS氣體無外漏顧慮。
6、整個系統(tǒng)采用材料制造,無發(fā)塵材料,適用100級光刻間凈化環(huán)境。
HMDS真空鍍膜機(jī)/真空烘箱產(chǎn)品參數(shù):
型號 | HMDS-20 | HMDS-90 | HMDS-210 |
容積 | 20L | 90L | 210L |
電源電壓 | AC220V±10%/50Hz±2% | AC380V±10%/50Hz±2% | |
輸入功率 | 1500W | 3000W | 4000W |
控溫范圍 | 室溫+10℃-250℃ | ||
溫度分辨率 | 0.1℃ | ||
溫度波動度 | ±0.5℃ | ||
達(dá)到真空度 | 133Pa | ||
工作室尺寸(mm) | 300*300*275 | 450*450*450 | 560*640*600 |
外形尺寸(mm) | 465*465*725 | 850*700*1400 | 720*820*1050 |
載物托架 | 1塊 | 2快 | 3塊 |
時間單位 | 分鐘 |
選配件
真空泵:德國品牌,萊寶“DC”雙極系列旋片式油泵,真空高,噪音低,運行穩(wěn)定。
連接管:不銹鋼波紋管,*密封將真空泵與烘箱連接。
HMDS預(yù)處理的必要性:
在半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝中,光刻是集成電路圖形轉(zhuǎn)移重要的一個工藝環(huán)節(jié),涂膠質(zhì)量直接影響到光刻的質(zhì)量,涂膠工藝也顯得尤為重要。光刻涂膠工藝中絕大多數(shù)光刻膠是疏水的,而硅片表面的羥基和殘留的水分子是親水的,這造成光刻膠和硅片的黏合性較差,尤其是正膠,顯影時顯影液會侵入光刻膠和硅片的連接處,容易造成漂條、浮膠等,導(dǎo)致光刻圖形轉(zhuǎn)移的失敗,同時濕法腐蝕容易發(fā)生側(cè)向腐蝕。增黏劑HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善這種狀況。將HMDS涂到硅片表面后,經(jīng)烘箱加溫可反應(yīng)生成以硅氧烷為主體的化合物。它成功地將硅片表面由親水變?yōu)槭杷涫杷珊芎玫嘏c光刻膠結(jié)合,起著偶聯(lián)劑的作用。
真空鍍膜機(jī)的原理:
HMDS預(yù)處理系統(tǒng)通過對烘箱HMDS預(yù)處理過程的工作溫度、處理時間、處理時保持時間等參數(shù)可以在硅片、基片表面均勻涂布一層HMDS,降低了HMDS處理后的硅片接觸角,降低了光刻膠的用量,提高光刻膠與硅片的黏附性。
真空鍍膜機(jī)的一般工作流程:
先確定烘箱工作溫度。典型的預(yù)處理程序為:打開真空泵抽真空,待腔內(nèi)真空度達(dá)到某一高真空度后,開始充人氮氣,充到達(dá)到某低真空度后,再次進(jìn)行抽真空、充入氮氣的過程,到達(dá)設(shè)定的充入氮氣次數(shù)后,開始保持一段時間,使硅片充分受熱,減少硅片表面的水分。然后再次開始抽真空,充入HMDS氣體,在到達(dá)設(shè)定時間后,停止充入HMDS藥液,進(jìn)入保持階段,使硅片充分與HMDS反應(yīng)。當(dāng)達(dá)到設(shè)定的保持時間后,再次開始抽真空。充入氮氣,完成整個作業(yè)過程。HMDS與硅片反應(yīng)機(jī)理如圖:先加熱到100℃-200℃,去除硅片表面的水分,然后HMDS與表面的OH一反應(yīng),在硅片表而生成硅醚,消除氫鍵作,從而使極性表面變成非極性表面。整個反應(yīng)持續(xù)到空間位阻(*基硅烷基較大)阻止其進(jìn)一步反應(yīng)。
尾氣排放等:多余的HMDS蒸汽(尾氣)將由真空泵抽出,排放到廢氣收集管道。在無廢氣收集管道時需做專門處理。
圖片:
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